gambar EDO RAMSDRAM (Synchronous Dynamic RAM)
SDRAM adalah memori yang dapat mengases data atau informasi lebih cepat dari EDO-RAM. Bentuk SDRAM adalah DIMM (Dual Inline Memory Module). Slot memori pada motherboard 168pin..SDRM mempunyai litar yang serentak (synchronous) yaitu ia menunggu untuk isyarat jam (clock signal) sebelum bertindak
DDR SDRAM (Double Data Rate Synchronous DRRAM)
DDR SDRAM adalah tipe memori generasi penerus SDRAM, yang memiliki kemampuan dua kali lebih cepat dari SDRAM. Slot memori yang digunakanDDR SDRAM memiliki jumlah pin lebih banyak dari SDRAM, yaitu184pin.
RDRAM (Rambus Dynamic RAM)
RDRAM adalah sebuah memori berkecepatan tinggi, digunaan untuk mendukung prosesor Pentium 4.tipe RDRAM menggunakan slot RIMM,yang mirip dengan slot SDRAM.Sebuah teknologi chip dinamis dari Rambus, Inc. Produk ini memiliki lisensi khusus untuk teknologi semikonduktor yang memproduksi chip.
Pada 1995 diperkenalkan chip dasar dengan kecepatan 600 MBytes/sec. Pada 1997, Concurrent RDRAM mengalami peningkatan kecepatan hingga 700 MBps, dan pada 1998, Direct RDRAM mencapai kecepatan 1,6 GBps. Concurrent RDRAM banyak dipergunakan pada video games, sementara Direct RDRAM biasa dipakai pada komputer.
Flash EPROM
yang diprogram dengan cara mengisi gerbang tersekat pada piranti. Memori ini dapat diisi ulang.Dari semua jenis memori diatas, yang sering digunakan adalah memori jenis EPROM dan EEPROM karena harganya paling murah dan mudah didapat dipasaran. Pada perancangan ini penulis menggunakan memori jenis EPROM type 2764.
SRAM (Static RAM)
Perusahaan Samsung Electronics telah mengembangkan chip static random access memory (SRAM) tercepat sekaligus berkapasitas tinggi pertama di dunia untuk kebutuhan sistem jaringan. Chip ini diberi nama quad data rate (QDR) II SRAM.
Berkecepatan 72 megabit, chip ini nantinya diharapkan akan menjadi perangkat memori untuk router (alat untuk mengatur data antarjaringan komputer, Red) dan switches berkecepatan tinggi. Chip ini diklaim Samsung mampu memproses empat aliran data secara simultan, mampu menangani data yang setara dengan 9.400 lembar koran per detiknya. Ini berarti 20 persen lebih cepat daripada QDR II SRAM konvensional.
Chip SRAM telah digunakan secara luas untuk berbagai produk elektronik karena dapat menyimpan data, bahkan setelah alat elektronik tersebut dimatikan. Samsung mengklaim bahwa tahun lalu, mereka menguasai 33 persen pasar SRAM. (afp/bag)
SRAM mampu melakukan operasi akses data lebih cepat dibandingkan DRAM. Namun harga SRAM lebih mahal, karena memerlukan komponen transistor lebih banyak (4-6 transistor dalam 1 cell memori) ketimbang DRAM (1 transistor dalam 1 cell memori).
MRAM (MAGNETIK RAM)
Jenis RAM ini disebut dengan Magnetic RAM (MRAM). Keunggulannya yaitu mampu melakukan instant on start up hingga dapat melakukan proses start up yang lebih cepat, mirip dengan proses yang terjadi pada televisi aatu radio. Selain itu memori jenis ini juga mampu menampung lebih banyak data, mengakses lebih cepat dan rendah dalam pemakaian daya
Tidak hanya dari jenis memorinya saja yang berkembang, dari faktor kapasitasnya juga mengalami peningkatan. Terutama sejak dimulainya teknologi seluler 2G, terjadi perubahan terhadap kebutuhan memori, yaitu meningkat dari 4 MB Flash/512 KB SRAM menjadi 32 MB Flash/4MB. Kecanggihan teknologi G apalagi 4G juga akan diikuti dengan kebutuhan terhadap kapasitas memori yang lebih tinggi. PDA phone contohnya, dapat memilik memori berkapasitas 128 MB Flash/128 MB DRAM. Bahkan diprediksikan mulai tahun 2002 sampai dengan tahun 2009 akan terjadi perubahan kapasitas memori mulai dari 128 MB, 256 MB, 512 MB, 1024 MB bahkan sampai 2048 MB dalam sebuah perngkat semungil ponsel.
EDO-RAM (Extended Data Out)
Dari macam jenis memori mungkin hanya memori jenis EDO RAM sudah tidak di produksi lagi dan bahkan dipasaran sudah sangat jarang yang menjual alias cukup langka.Pendukung jenis memori EDO RAM juga sudah sangat jarang terutama motherboard karena mothherboard sekarang ini aja sudah sangat jarang yang mendukung SD RAM apalagi EDO RAM yang sudah terlebih dahulu keluarnya.
Untuk menjalankan aplikasi sekarang ini memori EDO RAM sudah tidak mampu lagi mungkin memori jenis ini sudah saatnya masuk museum. Komputer yang memakai jenisini biasanya Pentium 1 kebawah.
EDO-RAM memiliki fungsi seperti RAM, akan tetapi jenis ini mempunyai kemampuan kerja sangat tinggi dan cepat dalam membaca dan mentransfer data. Bentuk EDO-RAM adalah SIMM (Single Inline Memory Module). Slot memori pada motherboard 72pin.
Memory ED0 - RAM IC : 8 / 24
{0><}0{>100 x 100 - 3k<0}>
alamat pada EPROM. Alamat ini akan didekode oleh EPROM untuk menentukan lokasi yang ingin dipilih. Kemudian pena OE dan CE harus berlogic 0 agar EPROM aktif. Untuk memprogram EPROM dapat menggunakan EPW ( EPROM Programmer Writer). Pena PGM harus berlogic 0 ketika memprogram EPROM. Pada operasi pembacaan normal, pena PGM
Gambar EPROM
EEPROM (Electrically EPROM) sama saja dengan EPROM, hanya cara penghapusannya dilakukan secara listrik.
Gambar Wii-EEPROM
PROM (Re-Programable ROM),
merupakan perkembangan dari versi PROM dimana kita dapat melakukan perubahan berulangkali sesuai dengan yang diinginkan
Read Only Memory (ROM)
Jenis memori ini datanya hanya bisa dibaca dan tidak bisa ditulis secara berulang-ulang. Memori ini berjenis non-volatile, artinya data yang disimpan tidak mudah menguap (hilang) walaupun catu dayanya dimatikan. Karena itu memori ini biasa digunakan untuk menyimpan program utama dari suatu sistem. Jenis ROM yang dikenal dipasaran ada lima jenis yaitu :
ROM (Read Only Memory)
yang diprogram dalam proses pembuatannya. Jenis ini tidak dapat diprogram ulang.
PROM (Programmable ROM)
yang diprogram dengan cara memutuskan hubungan sekering internal. PROM hanya dapat diprogram satu kali dan tidak dapat diprogram ulang.
EPROM EPROM (Erasable PROM)
yang diprogram dengan cara mengisi gerbang tersekat dari piranti. Dihapus dengan cara pemberian sinar ultra violet melalui jendela pada bagian atas IC. Setelah dihapus dapat diprogram ulang.
masukan alamat, data keluaran, dan masukan kontrol. Masukan alamat digunakan untuk memilih data yang tersimpan pada lokasi EPROM. Banyaknya lokasi yang tersedia adalah 2 pangkat n alamat. Sehingga untuk EPROM yang terdiri dari 10 bit alamat, akan mempunyai 2 pangkat 10 = 1024 lokasi yang dapat teralamati. Satu lokasi alamat didalam EPROM dapat menyimpan 8 bit data. Setiap bit data yang tersimpan didalam EPROM akan berbentuk bilangan biner 1 atau 0. Untuk mengaktifkan EPROM harus diperhatikan pena OE dan CE. OE ( Output Enable) jika berlogic 0 maka keluaran D0 s/d D7 akan aktif.
Jika OE berlogic 1 maka keluaran D0 s/d D7 akan Hi-Z (Hi-Z atau High Impedansi merupakan keadaan yang menandakan keluaran berada dalam keadaan tidak aktif). CE ( Chip Enable) harus berlogic 0 untuk mengaktifkan EPROM. Jika CE berlogic 1 keluaran akan Hi-Z dan tidak terpengaruh oleh kondisi sinyal OE.
Untuk membaca EPROM alamat pada mikroprosesor harus dihubungkan dengan
